SiC: Harter Schlüsselwerkstoff für die Leistungselektronik
Siliziumkarbid (SiC) ist auf dem Vormarsch: In Elektrofahrzeugen, Ladestationen, Solarwechselrichtern und Industrieantrieben ersetzt SiC zunehmend klassisches Silizium. Der Grund: SiC ermöglicht höhere Schaltfrequenzen, geringere Verluste und kleinere Bauteile.Die Herausforderung liegt in der Bearbeitung. SiC ist mit einer Härte von etwa 2.500 HV eines der härtesten technischen Materialien und verschleißt konventionelle Werkzeuge extrem schnell.
Herausforderungen bei der SiC-Bearbeitung
• Extrem hohe Härte – konventionelle Sägebänder versagen schnell• Sprödbruchgefahr – hoher Schnittdruck führt zu Ausbrüchen• Wärmeempfindlichkeit – thermische Schäden am Kristallgitter möglich• Hohe Materialkosten – maximale Ausbeute gefordert
Diamant als einzige wirtschaftliche Lösung
Nur Diamant ist hart genug, um SiC-Wafer und -Substrate präzise zu trennen. DRAMET-Diamantbandsägen mit feinkörnigen Sägebändern (76–126 µm) und minimalem Schnittdruck bieten ausbruchfreie Schnittkanten und schmale Schnittfugen von 0,16–0,35 mm – für maximale Materialausbeute aus teuren SiC-Blöcken.
Geeignete Maschinen
• 200er-Serie – für SiC-Wafer in Forschung und Kleinserien• 270er-Serie – für mittlere Serien mit NC-gesteuerter Wiederholgenauigkeit• DS150-NC Diamantdrahtsäge – für ultrafeine Trennschnitte an SiC-Substraten
Fazit
Die SiC-Nachfrage steigt mit dem Boom der Elektromobilität. DRAMET bietet die Bearbeitungspräzision, die für diesen Wachstumsmarkt benötigt wird – materialsparend, prozesssicher und skalierbar.Kontaktieren Sie uns für eine Beratung zur SiC-Bearbeitung.
